10月13日，“賽晶亞太新建年產(chǎn)IGBT功率器件200萬件項(xiàng)目”一期封頂儀式隆重舉行，賽晶電力電子集團(tuán)有限公司（以下簡稱：賽晶集團(tuán)）旗下子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶半導(dǎo)體）總經(jīng)理張強(qiáng)出席儀式并宣布封頂。賽晶IGBT項(xiàng)目業(yè)主代表唐寶成，監(jiān)理單位浙江富力建設(shè)管理有限公司總監(jiān)劉如新，施工單位中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司高級副總經(jīng)理惠文榮，中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司一分公司總經(jīng)理?xiàng)畛袊娮酉到y(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司建筑總承包一分公司總經(jīng)理李洪偉等多位領(lǐng)導(dǎo)出席了封頂儀式。各參建單位代表等百余人參加了封頂儀式。

上午10時20分，封頂儀式正式開始。賽晶半導(dǎo)體總經(jīng)理張強(qiáng)代表項(xiàng)目使用方致辭，他首先對項(xiàng)目的成功封頂表示祝賀，向?yàn)橘惥喬雽?dǎo)體功率器件項(xiàng)目付出辛勤努力的各參建方表示衷心感謝，向日夜奮斗在建設(shè)工地的全體人員致以誠摯的問候。最后，他要求各參建方通力合作，確保項(xiàng)目保質(zhì)保量、按期完工，并對項(xiàng)目的早日竣工充滿期待。隨后，參加儀式的各級領(lǐng)導(dǎo)共同為項(xiàng)目封頂澆筑最后一份混凝土，封頂儀式圓滿結(jié)束。 

該項(xiàng)目一期占地34畝，總建筑面積為24312.83平方米，其中主廠房建筑面積23668.7平方米，層高14.7米。規(guī)劃建設(shè)2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線、5條IGBT模塊封裝測試生產(chǎn)線，建成后年產(chǎn)能達(dá)200萬件高品質(zhì)IGBT模塊產(chǎn)品。

賽晶半導(dǎo)體作為賽晶集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)IGBT等功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的子公司，肩負(fù)著 “打造國際一流國產(chǎn)IGBT”的賽晶夢想與使命。項(xiàng)目歷時近4個月喜封金頂，標(biāo)志著賽晶亞太半導(dǎo)體新建年產(chǎn)IGBT功率器件進(jìn)入了又一個里程碑式的新階段，努力打造具備國際一流水平的國產(chǎn)IGBT芯片，讓賽晶實(shí)現(xiàn)國際領(lǐng)先的中國“芯”夢想更進(jìn)一步！