9月28日上午10時，賽晶電力電子集團有限公司（以下簡稱“賽晶集團”）及子公司瑞士SwissSEM Technology AG （以下簡稱“SwissSEM”）召開自主技術IGBT首發產品發布會。

賽晶“i20” IGBT芯片技術的首款產品1200V/200A 芯片 和 賽晶ED-Type IGBT模塊技術的首款產品1200V/600A 模塊，正式發布！

自2019年3月，賽晶集團宣布啟動IGBT項目，致力于打造具有國際水平的自主技術IGBT芯片和模塊產品至今，短短的1年零6個月時間里。賽晶不僅組建技術團隊并設立了全面負責IGBT業務的SwissSEM公司，還高效的完成了技術路線論證、供應鏈體系建立、生產基地動工等一系列工作。

今天，夢想走進現實，終于迎來了賽晶IGBT首發產品的正式揭幕。全體賽晶人激動萬分，各界伙伴也紛紛送上了祝賀與祝福。

領先而獨到的設計，帶來出色的測試表現

在發布會中，SwissSEM公司CEO – Roland先生，首先向大家致意并介紹了技術研發團隊和項目概況。

此后，SwissSEM公司CTO -Arnost先生，詳細介紹了IGBT芯片技術的研發規劃、設計思路、技術特點和測試表現。

賽晶首款IGBT芯片產品i20芯片，采用精細溝槽、窄臺面、優化N型增強層、短溝道、3D結構、優化P+、優化的激光退火緩沖區和陽極，以及超薄的N-基底等一系列行業前沿設計，帶來了卓越的性能表現。

Arnost先生還鄭重承諾，一定會將SwissSEM打造成高性能、高品質IGBT器件的代名詞。

SwissSEM公司COO – Sven先生，重點為大家介紹了首款模塊產品 ED-Type模塊。

該模塊特別采用了可以提高均流性能近2倍的直線布局，極大的改善了可靠性和穩定性。

此外，源于嚴格的供應商篩選和管理體系，以及最出色的制造工藝，使ED-Type模塊樣品在測試中，經過3倍于設計壽命后，六個樣品中也僅有一個出現了失效。這樣優異表現的大大超出了預期。

最后，Roland先生為大家展示了SwissSEM公司的發展藍圖。

不僅由SwissSEM獨家研發并已在申請專利的ST-Type模塊，讓大家眼前一亮。另一方面，針對電動汽車領域的第7代微溝槽技術i21芯片，使用新材料SiC的M2x芯片，以及具有獨到技術的EV-Type模塊，也讓人感受到了SwissSEM對于電動汽車領域的高度重視和出色技術。

不忘初心，砥礪前行

自賽晶集團董事長項頡先生，懷揣著技術強國的夢想回國創立賽晶集團至今，已經過去了將近20年。今天，在祖國生日的前夕，我們迎來了首個IGBT研發成果，令人激動，令人振奮。

然而，作為一項難度極高的硬科技，IGBT研發的后續工作和產業化依然要秉承著“務實、認真”的科技工匠精神，一步一個腳印的走穩、走好。這樣才能拿出品質過硬，性能領先的一流產品。在本次發布會后，賽晶將立即對首發樣品開始進一步的測試和驗證，在2020年底前量產，并送給客戶開始應用驗證。