自2020年9月發(fā)布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模塊等產(chǎn)品以來(lái)，在過(guò)去的一年里，賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“賽晶半導(dǎo)體”）本著精益求精的科技工匠精神，進(jìn)行了全面的產(chǎn)品測(cè)試和優(yōu)化，以及生產(chǎn)線建設(shè)和試產(chǎn)。

今天，賽晶半導(dǎo)體非常高興的宣布：1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片，1200V/750A及600A ED-Type IGBT模塊等產(chǎn)品成功完成試產(chǎn)，已具備了批量供貨能力，并正式開(kāi)始接受客戶訂貨。

打破“缺芯”困局，共建國(guó)產(chǎn)IGBT良性發(fā)展生態(tài)圈

IGBT，作為功率半導(dǎo)體的代表，被稱為大國(guó)重器，對(duì)電動(dòng)汽車、新能源電力等國(guó)家重點(diǎn)新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展和達(dá)成“雙碳”目標(biāo)，具有重要的戰(zhàn)略意義。然而，中國(guó)雖然是全球最大的IGBT消費(fèi)國(guó)，市場(chǎng)卻長(zhǎng)期為國(guó)外企業(yè)所主導(dǎo)。特別是芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)自給率極低。在中美貿(mào)易多變的背景下，加快國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，促進(jìn)中國(guó)成為IGBT產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)，是每一個(gè)業(yè)內(nèi)中國(guó)企業(yè)的責(zé)任和使命。

賽晶半導(dǎo)體，希望通過(guò)出色的國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)品和對(duì)外銷售芯片的舉措，打破國(guó)內(nèi)嚴(yán)重依賴進(jìn)口芯片的“缺芯”困局，與廣大業(yè)內(nèi)企業(yè)共建國(guó)產(chǎn)IGBT良性發(fā)展生態(tài)圈，助力中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)騰飛。

i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片，電壓/電流為1200V/250A，各項(xiàng)性能達(dá)到或超過(guò)了國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)的同類產(chǎn)品。

i20 IGBT芯片，采用FS-Trench結(jié)構(gòu)，即正面精細(xì)溝槽+背面場(chǎng)截止，并通過(guò)N型增強(qiáng)、窄臺(tái)面、短溝道、超薄基底、優(yōu)化P+、3D結(jié)構(gòu)等多項(xiàng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，從而帶來(lái)了高達(dá)250A的卓越表現(xiàn)。

d20 FRD芯片，與i20 IGBT芯片一同研發(fā)，從而確保了FRD與IGBT的完美配合，以及芯片組的出色整體性能。此外，我們通過(guò)先進(jìn)的發(fā)射極效率管理、優(yōu)化的陽(yáng)極擴(kuò)散曲線和陰極緩沖區(qū)、優(yōu)化的N-基底厚度與發(fā)射極和載流子壽命，以及特別設(shè)計(jì)的鏈接終端，實(shí)現(xiàn)了較低的FRD損耗，也降低了IGBT的通導(dǎo)損耗。

在國(guó)外企業(yè)技術(shù)領(lǐng)先并主導(dǎo)市場(chǎng)的IGBT芯片領(lǐng)域，賽晶半導(dǎo)體是少數(shù)全部采用自有芯片進(jìn)行模塊封裝的國(guó)內(nèi)企業(yè)，更是目前極少數(shù)公開(kāi)對(duì)外銷售自主技術(shù)IGBT芯片的國(guó)內(nèi)企業(yè)。敢于直面市場(chǎng)的檢驗(yàn)，這充分體現(xiàn)了賽晶半導(dǎo)體對(duì)產(chǎn)品卓越品質(zhì)的高度自信。

ED-Type IGBT模塊

ED-Type模塊，采用標(biāo)準(zhǔn)的“EconoDual”封裝設(shè)計(jì)，使用賽晶半導(dǎo)體i20和d20芯片組，推出了1200V/750A和1200V600A兩個(gè)型號(hào)產(chǎn)品。

ED-Type模塊采用了“直線型”優(yōu)化設(shè)計(jì)，大幅提升了均流表現(xiàn)，并在降低損耗的同時(shí)，提高了可靠性表現(xiàn)。

源于卓越的i20和d20芯片組、出色的優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝水平、嚴(yán)格的原材料選用和供應(yīng)鏈管理、首屈一指的智能自動(dòng)化制造生產(chǎn)線，ED-Type模塊與國(guó)外領(lǐng)域企業(yè)的同類產(chǎn)品對(duì)比中，表現(xiàn)出了更加優(yōu)異的綜合性能。

一往無(wú)前，賽晶半導(dǎo)體將再接再厲，加快開(kāi)展1700V以及750V的精密溝槽和微溝槽IGBT芯片、碳化硅芯片，以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模塊的產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)線建設(shè)，為廣大客戶奉獻(xiàn)更多、更好的國(guó)產(chǎn)IGBT精品，助力中國(guó)“強(qiáng)芯夢(mèng)”的早日實(shí)現(xiàn)。